格芯宣布已收購瑞薩電子的專利和經過生產驗證的導電橋接隨機存取存儲器技術

　　GlobalFoundries(GF，格芯)近日宣布，已經收購瑞薩電子公司(Renesas)的專利和經過生產驗證的導電橋接隨機存取存儲器 (conductive- bridging RAM，CBRAM) 技術，這是一種低功耗的存儲器解決方案，旨在實現家庭和工業(yè)物聯網以及智能移動設備的一系列應用。
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　　這項交易進一步加強 GF 的存儲器產品組合，并通過增加另一種可靠的、可定制的、相對容易集成到其他技術節(jié)點的嵌入式存儲器解決方案，擴展其嵌入式非易失性存儲器(NVM)解決方案的路線圖。具體而言，這項技術將使客戶能夠進一步區(qū)分其 SoC 設計，并推動新一代安全和智能設備的發(fā)展。

　　格芯表示，“致力于使我們技術組合差異化，成為客戶今天和未來幾十年的節(jié)能物聯網應用的基礎。通過收購這項創(chuàng)新的存儲技術，GF 現在在加速開發(fā) NVM 解決方案方面發(fā)揮著至關重要的作用，這將使我們的客戶能夠設計出下一代的智能和互聯設備。CBRAM 技術釋放了性能和超低能耗的新范式，使從可穿戴設備到智能手機的各種應用，在特定的使用情況下，將電池充電的間隔時間從幾小時延長到幾周甚至幾年。”

　　CBRAM 的低功耗、高讀 / 寫速度、降低制造成本和對惡劣環(huán)境的耐受性，使其特別適用于消費、醫(yī)療和特定工業(yè)應用。2020 年，格芯 GF 與 Dialog 半導體公司(該公司于 2021 年被瑞薩公司收購)達成了一項許可協議，將其 CBRAM 技術作為一種嵌入式、NVM 選項。現在，CBRAM 正在該公司的 22FDX 平臺上得到認證，并計劃將其擴展到其他平臺。
　　文章來源：http://www.codekj.com/html/news/xwdt/2023_02/11/3022038.html

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