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功耗直接砍半 三星 :3nm GAA 工藝研發(fā)進(jìn)度領(lǐng)先臺積電

來源:cnBeta 編輯:小小 2021-08-27 10:14:23
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  雖然目前來看,下一代芯片普遍依然采用 5nm 工藝打造,但是廠商卻一直在耗費(fèi)巨資開發(fā) 3nm 工藝,其中臺積電就表示將要在明年量產(chǎn) 3nm 工藝。不過,消息稱臺積電依然選擇 FinFET 晶體管技術(shù),三星則選擇了 GAA 技術(shù),并且還成功流片,距離實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)更近了一步。
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  據(jù)韓媒 Business Korea 最新報(bào)道,三星電子裝置解決方案事業(yè)部門技術(shù)長 Jeong Eun-seung 在 8 月 25 日的一場網(wǎng)絡(luò)技術(shù)論壇中透露,三星能夠搶在主要競爭者臺積電之前,宣布 GAA 技術(shù)商業(yè)化。

  他直言:“我們開發(fā)中的 GAA 技術(shù),領(lǐng)先主要競爭者臺積電。一旦鞏固這項(xiàng)技術(shù),我們的晶圓代工事業(yè)將可更加成長。”

  據(jù)悉 ,GAA 是一種新型的環(huán)繞柵極晶體管,通過使用納米片設(shè)備出了 MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET, 多橋-通道場效應(yīng)管),該技術(shù)可以顯著增強(qiáng)晶體管性能,主要取代 FinFET 晶體管技術(shù)。

  根據(jù)三星的說法,與 5nm 工藝相比 ,3nm GAA 技術(shù)的邏輯面積效率提高了 35% 以上,功耗降低了 50%, 性能提高了約 30%。

  三星早在 2019 年就公布了 3nm GAA 工藝的 PDK 物理設(shè)計(jì)套件標(biāo)準(zhǔn),當(dāng)時(shí)三星預(yù)計(jì) 3nm GAA 工藝會在 2020 年底試產(chǎn) ,2021 年量產(chǎn),但現(xiàn)在顯然不能實(shí)現(xiàn)這個(gè)計(jì)劃了。

  需要注意的是,有消息稱三星 3nm GAA 工藝如果拖到 2024 年量產(chǎn),將會直接與臺積電 2nm 競爭,到時(shí)候鹿死誰手還猶未可知。
  文章來源:http://www.cjgs.cn/html/keji/2021_08/27/183180.html

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