據(jù)韓媒 Business Korea 最新報(bào)道,三星電子裝置解決方案事業(yè)部門技術(shù)長 Jeong Eun-seung 在 8 月 25 日的一場網(wǎng)絡(luò)技術(shù)論壇中透露,三星能夠搶在主要競爭者臺積電之前,宣布 GAA 技術(shù)商業(yè)化。
他直言:“我們開發(fā)中的 GAA 技術(shù),領(lǐng)先主要競爭者臺積電。一旦鞏固這項(xiàng)技術(shù),我們的晶圓代工事業(yè)將可更加成長。”
據(jù)悉 ,GAA 是一種新型的環(huán)繞柵極晶體管,通過使用納米片設(shè)備出了 MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET, 多橋-通道場效應(yīng)管),該技術(shù)可以顯著增強(qiáng)晶體管性能,主要取代 FinFET 晶體管技術(shù)。
根據(jù)三星的說法,與 5nm 工藝相比 ,3nm GAA 技術(shù)的邏輯面積效率提高了 35% 以上,功耗降低了 50%, 性能提高了約 30%。
三星早在 2019 年就公布了 3nm GAA 工藝的 PDK 物理設(shè)計(jì)套件標(biāo)準(zhǔn),當(dāng)時(shí)三星預(yù)計(jì) 3nm GAA 工藝會在 2020 年底試產(chǎn) ,2021 年量產(chǎn),但現(xiàn)在顯然不能實(shí)現(xiàn)這個(gè)計(jì)劃了。
需要注意的是,有消息稱三星 3nm GAA 工藝如果拖到 2024 年量產(chǎn),將會直接與臺積電 2nm 競爭,到時(shí)候鹿死誰手還猶未可知。
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